EDID存储器（显示） EDID Memory For display
● General Description
BR24C21F, BR24C21FJ, BR24C21FV are serial EEPROMs that support DDC1™/DDC2™ interfaces for Plug and Play displays
● Features
■ Compatible with both DDC1TM/DDC2TM
■ Operating voltage range: 2.5V to 5.5V
■ Page write function: 8bytes
■ Low power consumption
► Active at 5V : 1.5mA typ
► Stand-by at 5V : 0.1µA typ
■ Address auto increment function during Read operation
■ Data security
► Write enable feature VCLK
► Write protection at low Vcc
■ Initial data=FFh
■ Data retention: 10years
■ Rewriting possible up to 100,000 times
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 400 kHz, 400 kHz max
存取时间 400 ms
内存容量 1000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
宽度 4.4 mm
封装 SOP-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BR24C21F-E2 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
BR24C21FJ-E2 罗姆半导体 | 功能相似 | BR24C21F-E2和BR24C21FJ-E2的区别 |
BR24C21FJ 罗姆半导体 | 功能相似 | BR24C21F-E2和BR24C21FJ的区别 |
BR24C21F 罗姆半导体 | 功能相似 | BR24C21F-E2和BR24C21F的区别 |