BC817-16LT1G

BC817-16LT1G图片1
BC817-16LT1G图片2
BC817-16LT1G图片3
BC817-16LT1G图片4
BC817-16LT1G图片5
BC817-16LT1G图片6
BC817-16LT1G图片7
BC817-16LT1G图片8
BC817-16LT1G图片9
BC817-16LT1G图片10
BC817-16LT1G图片11
BC817-16LT1G图片12
BC817-16LT1G图片13
BC817-16LT1G图片14
BC817-16LT1G图片15
BC817-16LT1G图片16
BC817-16LT1G图片17
BC817-16LT1G图片18
BC817-16LT1G图片19
BC817-16LT1G图片20
BC817-16LT1G图片21
BC817-16LT1G图片22
BC817-16LT1G图片23
BC817-16LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC817-16LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BC817-16LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 500 mA

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 ≤15.0 V

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, ??, Industrial, 车用, Automotive, ????, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC817-16LT1G引脚图与封装图
BC817-16LT1G引脚图
BC817-16LT1G封装焊盘图
在线购买BC817-16LT1G
型号: BC817-16LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC817-16LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
替代型号BC817-16LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC817-16LT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BCX19LT1G

安森美

类似代替

BC817-16LT1G和BCX19LT1G的区别

BC817-25LT3G

安森美

类似代替

BC817-16LT1G和BC817-25LT3G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台