BC847CLT1G

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BC847CLT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC847CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V ESD Rating − Machine Model: >400 V • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 特点 •湿度敏感度等级:1 •ESD额定值 - 人体模型:>4000 V ESD额定值 - 机器型号:> 400 V •这些器件是无铅,无卤,无 BFR

BC847CLT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 300 mW

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 420

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, Automotive, 工业, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC847CLT1G引脚图与封装图
BC847CLT1G引脚图
BC847CLT1G封装焊盘图
在线购买BC847CLT1G
型号: BC847CLT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC847CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE
替代型号BC847CLT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC847CLT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BC847CLT3

安森美

完全替代

BC847CLT1G和BC847CLT3的区别

BC847ALT1G

安森美

类似代替

BC847CLT1G和BC847ALT1G的区别

BC850CLT1G

安森美

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