单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
双电阻器双数字，
得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
立创商城:
2个PNP-预偏置 100mA 50V
欧时:
Infineon BCR183SH6327XTSA1 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363 SC-88封装
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-363-6
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCR183SH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
DDA114EU-7 美台 | 功能相似 | BCR183SH6327XTSA1和DDA114EU-7的区别 |