ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE
NPN 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor BSP52T1G NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
得捷:
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
立创商城:
NPN 双极达林顿晶体管
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE
艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Allied Electronics:
TRANSISTOR, DARLINGTON, NPN 1A 80V SOT223 PKG
安富利:
Trans Darlington NPN 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW; SOT223
Verical:
Trans Darlington NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, 1000 hFE
Win Source:
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
DeviceMart:
TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 80 V
输出电流 1 A
电路数 4
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 156℃/W RθJA
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 800 mW
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1250 mW
输入电压 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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