BSP52T1G

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BSP52T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BSP52T1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor BSP52T1G NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装


得捷:
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223


立创商城:
NPN 双极达林顿晶体管


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  BSP52T1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE


艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Allied Electronics:
TRANSISTOR, DARLINGTON, NPN 1A 80V SOT223 PKG


安富利:
Trans Darlington NPN 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW; SOT223


Verical:
Trans Darlington NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BSP52T1G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, 1000 hFE


Win Source:
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223


DeviceMart:
TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223


BSP52T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 80 V

输出电流 1 A

电路数 4

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

热阻 156℃/W RθJA

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V

额定功率Max 800 mW

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1250 mW

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.57 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

BSP52T1G引脚图与封装图
BSP52T1G引脚图
BSP52T1G封装焊盘图
在线购买BSP52T1G
型号: BSP52T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BSP52T1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE
替代型号BSP52T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSP52T1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BSP52T3G

安森美

完全替代

BSP52T1G和BSP52T3G的区别

BSP52T1

安森美

完全替代

BSP52T1G和BSP52T1的区别

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