BC846BDW1T1G

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BC846BDW1T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC846BDW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, 双NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BC846BDW1T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 65.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 380 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200

额定功率Max 380 mW

直流电流增益hFE 290

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 音频, Audio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC846BDW1T1G引脚图与封装图
BC846BDW1T1G引脚图
BC846BDW1T1G封装焊盘图
在线购买BC846BDW1T1G
型号: BC846BDW1T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC846BDW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, 双NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363
替代型号BC846BDW1T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC846BDW1T1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BC846BDW1T1

安森美

完全替代

BC846BDW1T1G和BC846BDW1T1的区别

BC846S@115

恩智浦

类似代替

BC846BDW1T1G和BC846S@115的区别

BC846BS,115

恩智浦

功能相似

BC846BDW1T1G和BC846BS,115的区别

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