BCP56

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BCP56概述

BCP56

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 130MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 63~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.33W Description & Applications| NPN medium power transistor FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 80 V. APPLICATIONS • Switching. 描述与应用| NPN中等功率 特点 •高电流(最大1 A) •低电压(最大80 V)。 应用 •开关。

BCP56中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 640 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCP56
型号: BCP56
制造商: NXP 恩智浦
描述:BCP56
替代型号BCP56
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