ON SEMICONDUCTOR BC857BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363
小信号 PNP ，
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 380mW
击穿电压集电极-发射极 -45.0 V
集电极最大允许电流 0.1A
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
封装 SOT-363
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC857BDW1T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC857BDW1T1 安森美 | 类似代替 | BC857BDW1T1G和BC857BDW1T1的区别 |
BC857BS@115 恩智浦 | 类似代替 | BC857BDW1T1G和BC857BS@115的区别 |
BC857BS-7-F 美台 | 功能相似 | BC857BDW1T1G和BC857BS-7-F的区别 |