BC856BLT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC856BLT1G概述

ON SEMICONDUCTOR BC856BLT1G 单晶体管双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

小信号 PNP ，

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BC856BLT1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -65.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 -65.0 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR, Cut Tape CT

制造应用工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC856BLT1G引脚图与封装图

在线购买BC856BLT1G

型号： BC856BLT1G

描述：ON SEMICONDUCTOR BC856BLT1G 单晶体管双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

替代型号BC856BLT1G