ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T1G. 晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFE
双 NPN/PNP ,On Semiconductor
每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备
得捷:
TRAN NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70
立创商城:
BC847BPDW1T1G
欧时:
双 NPN/PNP 晶体管,On Semiconductor每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SOT-363 T/R
Allied Electronics:
ON Semi BC847BPDW1T1G Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 6-Pin SC-88
安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
TME:
Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary; 45/-45V; 0.1/-0.1A
Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T1G Bipolar - RF Transistor, General Purpose, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 150 hFE
DeviceMart:
TRANS NPN/PNP DUAL 45V SOT-363
Win Source:
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
频率 100 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 1.00 A
额定功率 0.38 W
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 ≤5.00 V
针脚数 3
极性 NPN, PNP
耗散功率 380 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 380 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC847BPDW1T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC847S 安森美 | 类似代替 | BC847BPDW1T1G和BC847S的区别 |
BC847BPN@115 恩智浦 | 类似代替 | BC847BPDW1T1G和BC847BPN@115的区别 |
UMZ1NT1G 安森美 | 功能相似 | BC847BPDW1T1G和UMZ1NT1G的区别 |