BC847BPDW1T1G

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BC847BPDW1T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDW1T1G.  晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFE

双 NPN/PNP ,On Semiconductor

每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备


得捷:
TRAN NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70


立创商城:
BC847BPDW1T1G


欧时:
双 NPN/PNP 晶体管,On Semiconductor每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SOT-363 T/R


Allied Electronics:
ON Semi BC847BPDW1T1G Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 6-Pin SC-88


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


TME:
Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary; 45/-45V; 0.1/-0.1A


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDW1T1G  Bipolar - RF Transistor, General Purpose, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 150 hFE


DeviceMart:
TRANS NPN/PNP DUAL 45V SOT-363


Win Source:
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363


BC847BPDW1T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 1.00 A

额定功率 0.38 W

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 ≤5.00 V

针脚数 3

极性 NPN, PNP

耗散功率 380 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC847BPDW1T1G引脚图与封装图
BC847BPDW1T1G引脚图
BC847BPDW1T1G封装焊盘图
在线购买BC847BPDW1T1G
型号: BC847BPDW1T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDW1T1G.  晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFE
替代型号BC847BPDW1T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

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