BR25160N-10SU-1.8参数规格_中文资料_数据手册PDF

BR25160N-10SU-1.8概述

电源电压为1.8V 〜 5.5V /工作温度-40℃ 〜 + 85℃的类型 Supply voltage 1.8V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type

EEPROM Memory IC 16Kb 2K x 8 SPI 3MHz 8-SOIC

得捷:
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8SOIC

贸泽:
电可擦除可编程只读存储器 SPI 16K-BIT 2KX8 2.5V/3.3V/5V 8PIN

BR25160N-10SU-1.8中文资料参数规格

技术参数

存取时间 800 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 3.99 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买BR25160N-10SU-1.8

型号： BR25160N-10SU-1.8

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：电源电压为1.8V 〜 5.5V /工作温度-40℃ 〜 + 85℃的类型 Supply voltage 1.8V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type