BUK7510-100B

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BUK7510-100B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 110 A

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 6773pF @25VVds

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUK7510-100B
型号: BUK7510-100B
制造商: NXP 恩智浦
描述:MOS场效应管/BUK7510-100B 管装
替代型号BUK7510-100B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUK7510-100B

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BUK7510-100B,127

恩智浦

完全替代

BUK7510-100B和BUK7510-100B,127的区别

PSMN009-100P,127

恩智浦

类似代替

BUK7510-100B和PSMN009-100P,127的区别

BUK7515-100A,127

恩智浦

类似代替

BUK7510-100B和BUK7515-100A,127的区别

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