BR25G256FVT-3GE2

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BR25G256FVT-3GE2概述

Ic Eeprom 256Kbit 20MHz 8tssop

EEPROM Memory IC 256Kb 32K x 8 SPI 20MHz 8-TSSOP-B


得捷:
IC EEPROM 256KBIT SPI 8TSSOP


贸泽:
EEPROM 35V Voltage Resistance Regulator


BR25G256FVT-3GE2中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 20 MHz

电源电压 1.6V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BR25G256FVT-3GE2引脚图与封装图
BR25G256FVT-3GE2引脚图
BR25G256FVT-3GE2封装图
BR25G256FVT-3GE2封装焊盘图
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型号: BR25G256FVT-3GE2
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:Ic Eeprom 256Kbit 20MHz 8tssop

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