BR25L020FVJ-WE2

BR25L020FVJ-WE2图片1
BR25L020FVJ-WE2图片2
BR25L020FVJ-WE2图片3
BR25L020FVJ-WE2图片4
BR25L020FVJ-WE2图片5
BR25L020FVJ-WE2图片6
BR25L020FVJ-WE2图片7
BR25L020FVJ-WE2概述

高可靠性串行EEPROM SPI总线串行EEPROM High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs

EEPROM Memory IC 2Kb 256 x 8 SPI 5MHz 8-TSSOP-BJ


得捷:
IC EEPROM 2KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP


贸泽:
EEPROM SPI 256X8 BIT


艾睿:
EEPROM Serial-SPI 2K-bit 256 x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-BJ T/R


安富利:
EEPROM Serial-SPI 2K-bit 256 x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-BJ T/R


Chip1Stop:
EEPROM Serial-SPI 2K-bit 256 x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-BJ T/R


Verical:
EEPROM Serial-SPI 2K-bit 256 x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-BJ T/R


BR25L020FVJ-WE2中文资料参数规格
技术参数

频率 5 MHz

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

供电电流 3 mA

时钟频率 5.00 MHz, 5.00 MHz max

存取时间 5.00 µs

内存容量 2000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.85 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BR25L020FVJ-WE2
型号: BR25L020FVJ-WE2
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:高可靠性串行EEPROM SPI总线串行EEPROM High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台