NXP BCP51 单晶体管 双极, PNP, 80 V, 145 MHz, 650 mW, 1 A, 63 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 115MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 63~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.3W Description & Applications| FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 80 V • Medium power max. 1.3 W. APPLICATIONS • Audio, telephony and automotive applications • Thick and thin-film circuits. 描述与应用| 特点 •高电流(最大1 A) •低电压(最大80 V) •中等功率(最大1.3 W)。 应用 •音频,电话和汽车应用 •厚薄膜电路。
额定电压DC 45.0 V
额定电流 1.50 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 650 mW
最小电流放大倍数hFE 40
直流电流增益hFE 63
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223-3
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 SOT-223-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCP51 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP51,115 安世 | 功能相似 | BCP51和BCP51,115的区别 |
BCP51TA 美台 | 功能相似 | BCP51和BCP51TA的区别 |