BR25G1MFJ-3GE2参数规格_中文资料_数据手册PDF

BR25G1MFJ-3GE2概述

电可擦除可编程只读存储器 Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin

EEPROM Memory IC 1Mb 128K x 8 SPI 10MHz 8-SOP-J

得捷:
IC EEPROM 1MBIT SPI 10MHZ 8SOPJ

立创商城:
BR25G1MFJ-3GE2

贸泽:
电可擦除可编程只读存储器 Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin

艾睿:
EEPROM Serial-SPI 1M-bit 128K x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP-J T/R

BR25G1MFJ-3GE2中文资料参数规格

技术参数

时钟频率 10 MHz

存取时间Max 40 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BR25G1MFJ-3GE2引脚图与封装图

在线购买BR25G1MFJ-3GE2

型号： BR25G1MFJ-3GE2

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：电可擦除可编程只读存储器 Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin