NXP BC858B,215 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE
Bipolar BJT Transistor
得捷:
NEXPERIA BC858B - SMALL SIGNAL B
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
BC858 系列 30 V 100 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT-23-3
Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP BC858B,215 Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 30 V, 250 mW, 100 mA, 220
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 220
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.4 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC858B,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BC859B,215 恩智浦 | 类似代替 | BC858B,215和BC859B,215的区别 |
BC858B,235 恩智浦 | 类似代替 | BC858B,215和BC858B,235的区别 |