BC856BW

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BC856BW概述

BC856BW

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −65V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 125~475 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current max. 100 mA • Low voltage max. 65 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用| PNP通用 特点 •低电流(最大100 mA) •低电压(最大65 V)。 应用 •通用开关和放大。

BC856BW中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BC856BW引脚图与封装图
BC856BW引脚图
BC856BW封装图
BC856BW封装焊盘图
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型号: BC856BW
制造商: NXP 恩智浦
描述:BC856BW
替代型号BC856BW
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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