BC856BW
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −65V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 125~475 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current max. 100 mA • Low voltage max. 65 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用| PNP通用 特点 •低电流(最大100 mA) •低电压(最大65 V)。 应用 •通用开关和放大。
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC856BW NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BC856BWT1G 安森美 | 功能相似 | BC856BW和BC856BWT1G的区别 |
BC856BW-7-F 美台 | 功能相似 | BC856BW和BC856BW-7-F的区别 |
BC856BW,115 安世 | 功能相似 | BC856BW和BC856BW,115的区别 |