BSM75GB170DN2

BSM75GB170DN2中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

引脚数 7

封装 34MM-1

外形尺寸

长度 94 mm

宽度 34 mm

高度 30.5 mm

封装 34MM-1

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSM75GB170DN2
型号: BSM75GB170DN2
制造商: Infineon 英飞凌
描述:IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate

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