BSM100GD120DN2

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BSM100GD120DN2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 680 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 680000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 39

封装 ECONO-3

外形尺寸

长度 122 mm

宽度 62 mm

高度 17 mm

封装 ECONO-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSM100GD120DN2
型号: BSM100GD120DN2
描述:IGBT芯片在NPT技术 IGBT Chip in NPT-technology
替代型号BSM100GD120DN2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSM100GD120DN2

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