INFINEON BSS670S2LH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 540 mA, 55 V, 0.346 ohm, 10 V, 1.6 V
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装(无铅)
超低 Rdson
立创商城:
BSS670S2LH6327XTSA1
得捷:
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS670S2LH6327XTSA1, 540 mA, Vds=55 V, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# INFINEON BSS670S2LH6327XTSA1 MOSFET Transistor, N Channel, 540 mA, 55 V, 0.346 ohm, 10 V, 1.6 V
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
额定功率 0.36 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.346 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 0.54A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 56pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Communications & Networking, 电源管理, Onboard charger, 通信与网络, Motor Drive & Control, Automotive, Power Management, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17