BSS138K

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BSS138K概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138K  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 1.6 ohm, 5 V, 600 mV

The is a N-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor features low input capacitance, low-on resistance, low gate threshold voltage and fast switching speed.

.
Low input/output leakage
.
±12V Gate-source voltage
.
Green product

得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


立创商城:
N沟道 50V 220A


欧时:
### 增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
BSS138K 系列 50 V N沟道 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管


Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138K  MOSFET Transistor, N Channel, 220 mA, 50 V, 1.6 ohm, 5 V, 600 mV


Win Source:
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3


BSS138K中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 50 V

输入电容Ciss 58pF @25VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

BSS138K引脚图与封装图
BSS138K引脚图
BSS138K封装焊盘图
在线购买BSS138K
型号: BSS138K
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138K  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 1.6 ohm, 5 V, 600 mV
替代型号BSS138K
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSS138K

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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安森美

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