FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS138K 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 1.6 ohm, 5 V, 600 mV
The is a N-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor features low input capacitance, low-on resistance, low gate threshold voltage and fast switching speed.
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
立创商城:
N沟道 50V 220A
欧时:
### 增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
BSS138K 系列 50 V N沟道 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管
Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS138K MOSFET Transistor, N Channel, 220 mA, 50 V, 1.6 ohm, 5 V, 600 mV
Win Source:
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3
针脚数 3
漏源极电阻 1.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 50 V
输入电容Ciss 58pF @25VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSS138K Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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