N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a 50V N-channel Power MOSFET designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This type can be operated directly from integrated circuits. This product is general usage and suitable for many different applications.
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- Nanosecond switching speed
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- Linear transfer characteristics
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- High input impedance
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- 170ns Fall time
额定功率 75 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 2000pF @25VVds
额定功率Max 75 W
下降时间 130 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BUZ11_NR4941 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP36NF06L 意法半导体 | 功能相似 | BUZ11_NR4941和STP36NF06L的区别 |
STP36NF06 意法半导体 | 功能相似 | BUZ11_NR4941和STP36NF06的区别 |
IRFZ14PBF 威世 | 功能相似 | BUZ11_NR4941和IRFZ14PBF的区别 |