N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using "s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is also suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BS170 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BS170"D26Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | BS170和BS170"D26Z的区别 |
BS170"D27Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | BS170和BS170"D27Z的区别 |
MMBF170 飞兆/仙童 | 类似代替 | BS170和MMBF170的区别 |