ON SEMICONDUCTOR BSS138LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23 Typical applications are DC−DC converters, power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. Low Threshold Voltage VGSth :0.5 V−1.5 V Makes it Ideal for Low Voltage Applications •Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 功率MOSFET 200毫安,50 V N沟道SOT-23 典型的应用是DC-DC转换器,电源管理 便携式和电池供电产品,如电脑,打印机, PCMCIA卡,手机和无绳电话。 低阈值电压(VGS(TH) :0.5 V-1.5 V)使得它非常适合 低电压应用 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板间 •无铅包可用
额定电压DC 50.0 V
额定电流 200 mA
额定功率 0.225 W
无卤素状态 Halogen Free
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 3.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
阈值电压 1.5 V
输入电容 40pF @25V
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, ??????, 工业, ??, Industrial, 车用, 便携式器材, Automotive, ?????, Consumer Electronics, ????, Portable Devices, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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