FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.13A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.2Ω @-100mA,-5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.V 耗散功率PdPower Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| Features • −0.13A, −50V. RDSON = 10Ω @ VGS = −5 V • Voltage controlled p-channel small signal switch • High density cell design for low RDSON • High saturation current 描述与应用| •0.13A，-50V。 RDS（ON）=10Ω@ VGS=-5 V •电压控制p沟道小信号开关 •高密度电池设计的低RDS（ON） •高饱和电流
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -130 mA
额定功率 360 mW
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 360 mW
输入电容 73.0 pF
栅电荷 1.30 nC
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 -50.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 130 mA
上升时间 6.3 ns
输入电容Ciss 73pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 4.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS84 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS84-7-F Multicomp | 类似代替 | BSS84和BSS84-7-F的区别 |
BSS84LT1G 安森美 | 功能相似 | BSS84和BSS84LT1G的区别 |