VISHAY BPW85B 光电三极管, NPN, T-1 3/4
850nm 顶视图 径向
得捷:
PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1080 NM
贸泽:
光电晶体管 NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 Bulk
TME:
Phototransistor; transparent; 50°; λp max:850nm; 70V; THT
Verical:
Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 Bulk
Newark:
# VISHAY BPW85B Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 3mm
AMEYA360:
Vishay BPW85B, 50 ° 红外+可见光 光电晶体管, 通孔安装 3mm 封装
额定电流 50.0 mA
上升/下降时间 2.3 ns
通道数 1
针脚数 2
波长 850 nm
视角 25°
峰值波长 850 nm
极性 NPN
耗散功率 100 mW
功耗 100 mW
上升时间 2 µs
击穿电压集电极-发射极 70 V
额定功率Max 100 mW
下降时间 2.3 µs
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 4.5 mm
封装 T-1
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 100℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 传感与仪器, Sensing & Instrumentation
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99