N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,
### MOSFET ,ON Semiconductor
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS123LT1G, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
立创商城:
N沟道 100V 170mA 功率 MOSFET 170 mA,100 V,N 沟道 SOT-23
得捷:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
贸泽:
MOSFET 100V 170mA N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 100VDC; RDSON 5 Ohms; ID 0.17A; SOT-23 TO-236; PD 225mW
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 VDC, 0.8 V
力源芯城:
小信号N沟道SOT23封装场效应管
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
额定电压DC 100 V
额定电流 170 mA
额定功率 0.225 W
无卤素状态 Halogen Free
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
阈值电压 800 mV
输入电容 20pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 170 mA
正向电压Max 1.3 V
输入电容Ciss 20pF @25VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSS123LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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