BU52012NVX-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

BU52012NVX-TR概述

单极检测霍尔IC Unipolar Detection Hall ICs

Digital Switch Unipolar Switch Push-Pull Hall Effect SSON004X1216

得捷:
MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR 4-SSON

立创商城:
霍尔效应传感器

艾睿:
Hall Effect Sensor 0.5mA Unipolar 1.8V 4-Pin SSON-X EP T/R

Chip1Stop:
Hall Effect Sensor 0.5mA Unipolar 1.8V 4-Pin SSON T/R

BU52012NVX-TR中文资料参数规格

技术参数

输出电流Max 500 µA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2049 mW

电源电压 1.65V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 1.65 V

封装参数

引脚数 4

封装 UDFN-4

外形尺寸

封装 UDFN-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BU52012NVX-TR引脚图与封装图

在线购买BU52012NVX-TR

型号： BU52012NVX-TR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：单极检测霍尔IC Unipolar Detection Hall ICs