霍耳效应传感器，ROHM Semiconductor集成电路利用霍尔效应，用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。### 霍耳效应传感器，ROHM Semiconductor
霍耳效应，
集成电路利用霍尔效应，用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。
### 霍耳效应传感器，ROHM Semiconductor
得捷:
MAGNETIC SWITCH OMNIPOL UCSP35L1
立创商城:
全极检测霍尔IC
欧时:
ROHM BU52055GWZ-E2 霍尔效应传感器, 全极性磁场, 5.5 mT, 4引脚 UCSP35L1封装
艾睿:
Hall Effect Sensor 0.5mA Omnipolar 1.8V/2.5V 4-Pin UCSP T/R
安富利:
Hall Effect Sensor 0.5mA Omnipolar 1.8V 4-Pin UCSP Embossed T/R
Chip1Stop:
Hall Effect Sensor 0.5mA Omnipolar 1.8V/2.5V 4-Pin UCSP T/R
Win Source:
MAGNETIC SWITCH OMNIPOL UCSP35L1
输出电流 0.5 mA
供电电流 5 µA
耗散功率 100 mW
输出电流Max 500 µA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
电源电压 1.65V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 1.65 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 XFBGA-4
长度 0.8 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.1 mm
封装 XFBGA-4
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
