频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
BC857B,235
NXP 恩智浦
当前型号
BC857B,215
恩智浦
类似代替
BC860B,215
BC857B
Diotec Semiconductor