ON SEMICONDUCTOR BC849BLT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 290 hFE
The is a NPN general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
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- Moisture sensitivity level-1
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- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
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- >4000V Human body model and >400V machine model - ESD rating
频率 100 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 290
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.3 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC849BLT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC849BLT3G 安森美 | 完全替代 | BC849BLT1G和BC849BLT3G的区别 |
BC848BLT1G 安森美 | 类似代替 | BC849BLT1G和BC848BLT1G的区别 |
BC848CLT1G 安森美 | 类似代替 | BC849BLT1G和BC848CLT1G的区别 |