ON SEMICONDUCTOR BC807-40LT3G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 40 hFE 新
小信号 PNP ,
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带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
得捷:
TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
立创商城:
BC807-40LT3G
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Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP
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Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 40 hFE
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Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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ON Semi BC807-40LT3G PNP Bipolar Transistor; 0.5 A; 45 V; 3-Pin SOT-23
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Trans GP BJT PNP 45V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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# ON SEMICONDUCTOR BC807-40LT3G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 250 hFE
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Trans GP BJT PNP 45V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT-23
Win Source:
TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 225 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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