通用晶体管 General Purpose Transistors
- 双极 BJT - 单 NPN 30 V 100 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)
得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
立创商城:
BC848BLT3G
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 30V NPN
艾睿:
Implement this versatile NPN BC848BLT3G GP BJT from ON Semiconductor into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 290 hFE
Win Source:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
频率 100 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 290
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BC848BLT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC849BLT3G 安森美 | 完全替代 | BC848BLT3G和BC849BLT3G的区别 |
BC847CLT1G 安森美 | 类似代替 | BC848BLT3G和BC847CLT1G的区别 |
BC848BLT1G 安森美 | 类似代替 | BC848BLT3G和BC848BLT1G的区别 |