BC858B,235

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BC858B,235中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 250 mW

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC858B,235
型号: BC858B,235
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-236AB PNP 30V 0.1A
替代型号BC858B,235
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