BC856B

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BC856B中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

耗散功率 0.25 W

增益频宽积 100 MHz

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BC856B
型号: BC856B
制造商: Diotec Semiconductor
描述:Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 65V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
替代型号BC856B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diotec Semiconductor

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