BSM100GB120DN2K参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSM100GB120DN2K概述

IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate

* Half-bridge * Including fast free-wheeling diodes * Package with insulated metal base plate

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BSM100GB120DN2K

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 145A 700000mW 7-Pin 34MM-1

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Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 145A 7-Pin 62MM

Chip1Stop:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 145A 7-Pin 62MM

BSM100GB120DN2K中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 700 W

击穿电压集电极-发射极 1.20 kV

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 700000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 7

封装 34MM-1

外形尺寸

长度 94 mm

宽度 34 mm

高度 30.5 mm

封装 34MM-1

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BSM100GB120DN2K

描述：IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate

替代型号BSM100GB120DN2K