PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
小信号 PNP ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
立创商城:
BC858BLT3G
欧时:
ON Semiconductor BC858BLT3G , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:220, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
艾睿:
If your circuit&s;s specifications require a device that can handle high levels of voltage, ON Semiconductor&s;s PNP BC858BLT3G general purpose bipolar junction transistor is for you. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Allied Electronics:
ON Semi BC858BLT3G PNP Bipolar Transistor, 0.1 A, 30 V, 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
频率 100 MHz
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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