频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BC857CW,135 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BC857CW,115 恩智浦 | 类似代替 | BC857CW,135和BC857CW,115的区别 |
BC860CW,115 恩智浦 | 类似代替 | BC857CW,135和BC860CW,115的区别 |