BC849B参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC849B中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250 mW

增益频宽积 100 MHz

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BC849B

型号： BC849B

制造商： Diotec Semiconductor

描述：Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23

替代型号BC849B