BC850B

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BC850B中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

耗散功率 0.25 W

增益频宽积 100 MHz

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BC850B
型号: BC850B
制造商: Diotec Semiconductor
描述:Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23
替代型号BC850B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC850B

Diotec Semiconductor

当前型号

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