NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 110~800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation| 310mW/0.31W Description & Applications| SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS · Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits · LOW NOISE: BC849, BC850 · Complement to BC856 ... BC860 描述与应用| 开关和放大器应用 ·适用于自动插入厚薄膜电路 ·低噪声：BC849，BC850 ·补充BC856... BC860
频率 300 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.31 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC850BMTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BC847BMTF 飞兆/仙童 | 类似代替 | BC850BMTF和BC847BMTF的区别 |
BC850CMTF 飞兆/仙童 | 类似代替 | BC850BMTF和BC850CMTF的区别 |
BC817-40LT1G 安森美 | 功能相似 | BC850BMTF和BC817-40LT1G的区别 |