BC858BLT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC858BLT1G概述

ON SEMICONDUCTOR BC858BLT1G 单晶体管双极, 通用, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFE

小信号 PNP ，

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BC858BLT1G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, Industrial, Power Management, Automotive, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC858BLT1G引脚图与封装图

在线购买BC858BLT1G

型号： BC858BLT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR BC858BLT1G 单晶体管双极, 通用, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFE

立即咨询

替代型号BC858BLT1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC858BLT1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC858BWT1G 安森美	类似代替	BC858BLT1G和BC858BWT1G的区别
BC858BLT3G 安森美	类似代替	BC858BLT1G和BC858BLT3G的区别
NSVBC858BLT1G 安森美	类似代替	BC858BLT1G和NSVBC858BLT1G的区别