BZV55C12 L1

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BZV55C12 L1概述

500mW,BZV55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:微型 MELF JEDEC DO-213AC ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor

齐纳 500mW,BZV55C 系列,

小信号 500mW 密封玻璃

电压容差为 5%

表面安装外壳:微型 MELF JEDEC DO-213AC

### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor


欧时:
Taiwan Semiconductor BZV55C12 L1 单路 齐纳二极管, 12V 5% 500 mW, 2引脚 MiniMELF封装


艾睿:
Now you can operate a diode in its reverse breakdown region by using a voltage regulator BZV55C12 L1 zener diode from Taiwan Semiconductor. Its maximum leakage current is 0.1 μA. Its test current is 5 mA. Its maximum power dissipation is 500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This zener diode has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C. This zener device has a nominal voltage of 12 V and a voltage tolerance of 5%. It is made in a single configuration.


Allied Electronics:
Taiwan Semi BZV55C12 L1 Zener Diode, 12V 5% 500 mW SMT 2-Pin MiniMELF


Verical:
Zener Diode Single 12V 5% 20Ohm 500mW 2-Pin Mini-MELF T/R


BZV55C12 L1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 12 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-80

外形尺寸

长度 3.7 mm

封装 SOD-80

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

数据手册

在线购买BZV55C12 L1
型号: BZV55C12 L1
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:500mW,BZV55C 系列,Taiwan Semiconductor 小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:微型 MELF JEDEC DO-213AC ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor
替代型号BZV55C12 L1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BZV55C12 L1

Taiwan Semiconductor 台湾半导体

当前型号

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