BZV55C9V1 L1

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BZV55C9V1 L1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 9.1 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-80

外形尺寸

封装 SOD-80

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZV55C9V1 L1
型号: BZV55C9V1 L1
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:Diode Zener Single 9.1V 5% 0.5W1/2W 2Pin Mini-MELF T/R
替代型号BZV55C9V1 L1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BZV55C9V1 L1

Taiwan Semiconductor 台湾半导体

当前型号

当前型号

BZV55-C10,115

恩智浦

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BZV55C9V1 L1和BZV55-C10,115的区别

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