BZX55C2V7-TAP

BZX55C2V7-TAP图片1
BZX55C2V7-TAP图片2
BZX55C2V7-TAP图片3
BZX55C2V7-TAP图片4
BZX55C2V7-TAP图片5
BZX55C2V7-TAP图片6
BZX55C2V7-TAP图片7
BZX55C2V7-TAP概述

500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

Zener Diode 2.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35


欧时:
### 齐纳二极管 500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Diode Zener Single 2.7V 7% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo


安富利:
Diode Zener Single 2.7V 7% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo


TME:
Diode: Zener; 0.5W; 2.7V; Package: Ammo Pack; DO35


Verical:
Diode Zener Single 2.7V 7% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo


Newark:
# VISHAY  BZX55C2V7-TAP  Zener Single Diode, Small Signal, 2.7 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pins, 175 °C


儒卓力:
**Z-DIODE 0,5W 2V7 5% DO35 **


BZX55C2V7-TAP中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

额定功率 0.5 W

击穿电压 2.90 V

正向电压 1.5V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 2.7 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 3.9 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.7 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BZX55C2V7-TAP
型号: BZX55C2V7-TAP
描述:500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
替代型号BZX55C2V7-TAP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BZX55C2V7-TAP

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

BZX79-C2V7

恩智浦

功能相似

BZX55C2V7-TAP和BZX79-C2V7的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台