BC847BWT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC847BWT1G概述

ON SEMICONDUCTOR BC847BWT1G 晶体管双极-射频, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 200 hFE

小信号 NPN ，

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BC847BWT1G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC847BWT1G引脚图与封装图

在线购买BC847BWT1G

型号： BC847BWT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR BC847BWT1G 晶体管双极-射频, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 200 hFE

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替代型号BC847BWT1G

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