BC859CE6327HTSA1

BC859CE6327HTSA1图片1
BC859CE6327HTSA1图片2
BC859CE6327HTSA1概述

SOT-23 PNP 30V 0.1A

- 双极 BJT - 单 PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW 表面贴装型 PG-SOT23


得捷:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BC859CE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC859CE6327HTSA1
型号: BC859CE6327HTSA1
描述:SOT-23 PNP 30V 0.1A
替代型号BC859CE6327HTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC859CE6327HTSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BC858CE6433HTMA1

英飞凌

完全替代

BC859CE6327HTSA1和BC858CE6433HTMA1的区别

BC858CE6327HTSA1

英飞凌

类似代替

BC859CE6327HTSA1和BC858CE6327HTSA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台