BC858W,135中文资料参数规格 技术参数
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BC858W,135 型号: BC858W,135
制造商:
NXP
恩智浦
描述:SC-70 PNP 30V 0.1A