BZX55C18-TAP

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BZX55C18-TAP概述

500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

Zener Diode 18V 500mW ±5% Through Hole DO-35


得捷:
DIODE ZENER 18V 500MW DO35


贸泽:
稳压二极管 18 Volt 0.5W 5%


艾睿:
Diode Zener Single 18V 6% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo


安富利:
Diode Zener Single 18V 6% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo


TME:
Diode: Zener; 0.5W; 18V; Package: Ammo Pack; DO35


Verical:
Diode Zener Single 18V 6% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo


儒卓力:
**Z-DIODE 0,5W 18V 5% DO35 **


BZX55C18-TAP中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

额定功率 0.5 W

击穿电压 19.1 V

正向电压 1.5V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 18 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 3.9 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.7 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BZX55C18-TAP
型号: BZX55C18-TAP
描述:500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

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